Т. А. Холомина, “Влияние режима имплантации на параметры пленок $\mathrm{Si0}_2$ на кремнии”, Матем. моделирование, 1998, том 10, номер 7,страницы 21

Эта публикация цитируется в 1 статье

Математические модели и вычислительный эксперимент

Влияние режима имплантации на параметры пленок $\mathrm{Si0}_2$ на кремнии

Т. А. Холомина

Рязанская государственная радиотехническая академия

Аннотация: Получены уравнения регрессии, отражающие влияние режима имплантации на величины подвижного заряда, относительной диэлектрической проницаемости и удельного сопротивления пленок $\mathrm{Si0}_2$ на кремнии.

Поступила в редакцию: 22.01.1998