Анализ структур на основе полупроводников материалов переменного состава

Рассмотрена диффузионно-дрейфовая модель структуры на основе полупроводникового материала группы $A^3B^5$ переменного состава в предположении квази-электронейтральности базовой области. Доказано существование и единственность решения задачи в классах обобщенных функций. Для нахождения численного решения построена схема метода прямых, доказана ее однозначная разрешимость, получены оценки скорости сходимости численного решения к обобщенному. Проанализированы результаты вычислительного эксперимента.