Численное исследование одной гидродинамической модели переноса носителей заряда в полупроводниках

Работа посвящена численному анализу гидродинамической модели, описывающей движение носителей заряда в полупроводниках. За основу принята математическая модель, предложенная в [1]. Данная гидродинамическая модель исследуется в рамках задачи о баллистическом диоде (см. [2], [3]). Нахождение стационарных решений задачи о баллистическом диоде осуществляется методом установления.