Математическая модель термоэлектрогидродинамической конвекции в полупроводниках с учетом столкновительных процессов

Из кинетического уравнения Больцмана и уравнений Максвелла получены выражения, описывающие перенос свободных носителей заряда в полупроводниках в гидродинамическом приближении. Построена математическая модель термоэлектрогидродинамической конвекции в монополярных полупроводниках при наличии столкновений носителей заряда с кристаллической решеткой и примесями. Исследованы зависимости конвективной неустойчивости и критического числа Рэлея от времени релаксации импульса.