Пакет программ для моделирования фотолитографического процесса формирования защитного рисунка с использованием позитивных фоторезистов

Описывается пакет программ для ПЭВМ IBM PC/AT, позволяющих моделировать процессы экспонирования и проявления позитивных фоторезистов. Формируется математическая модель, приводится методика моделирования. Рассматривается назначение моделирующих программ, излагаются основные результаты моделирования и приводится сравнение с соответствующими экспериментальными данными. Демонстрируется хорошее совпадение результатов моделирования и данных эксперимента.