Экономичный алгоритм расчета диффузионных процессов в кремнии при локальном окислении

Рассматривается математическая модель процесса перераспределения примесей в полупроводнике при локальном окислении кремния, включающая два канала миграции атомов – диффузионный и перенос под действием электрического поля в легированном слое. Для двумерной области моделирования с подвижной границей предложен численный метод расчета профилей концентраций примесей, основанный на согласованном расщеплении параболических уравнений и краевых условий. Строятся локально-одномерные разностные схемы.