RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Математическое моделирование // Архив

Матем. моделирование, 1993, том 5, номер 4, страницы 14–31 (Mi mm1967)

Математические модели и вычислительный эксперимент

Оптическая бистабильность на основе полупроводников в условиях конечного времени термализации поглощенной световой энергии. II. Численное моделирование пространственных волн переключения

Ю. Н. Карамзинa, С. В. Поляковa, В. А. Трофимовb

a Институт математического моделирования РАН
b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Рассмотрено взаимодействие оптического излучения с нелинейно поглощающим полупроводниковым кристаллом в условиях бистабильного его отклика с учетом процессов фотогенерации, рекомбинации и биполярной диффузии свободных носителей заряда, а также теплопроводности. В приближениях оптически толстого и тонкого слоя исследовано влияние соответственно продольной и поперечной (в том числе нелинейной) диффузии заряда и тепла на пространственную структуру и динамику волн переключения.

Поступила в редакцию: 14.05.1993



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024