Асимптотический вывод уравнения амбиполярной диффузии и граничных условий в физике полупроводников

Методом пограничных функций построена асимптотика решения начально-краевой задачи для системы сингулярно возмущенных дифференциальных уравнений, описывающей распределение неравновесных носителей заряда в тонкой полупроводниковой пластинке с проводимостью, близкой к собственной. Показано, что главный член асимптотики описывается хорошо известным в физике полупроводников уравнением амбиполярной диффузии. Полученные для него граничные условия отличаются от условий используемых в некоторых физических работах.