Модель роста неидеального кристалла соединения типа III–V в МЛЭ

Представлена компьютерная модель роста в МЛЭ кристалла полупроводника типа III–V, в которой в отличие от традиционной модели “твердое на твердом” допускается образование объемных вакансий. Приведены результаты вычислительного эксперимента по моделированию роста кристалла при низкой температуре для различных значений плотности потока элементов V-й группы.