Линейные центрально-разностные схемы с искусственной диффузией для уравнений двумерной квазигидродинамической модели полевых транзисторов с затвором Шоттки

Рассмотрены схема с пятиточечным шаблоном и локально-одномерная схема. С целью получения неотрицательных расчетных значений концентрации электронов ввведена искусственная диффузия. Показано, что при существенном изменении коэффициента искусственной диффузии результаты моделирования транзистора почти не меняются.