Численное исследование процесса переноса заряда в полупроводниковых фотопреобразователях

Проведен численный анализ одномерного стационарного распределения заряда и электрического поля в кремниевой $n^+-p-p^+$ структуре, облучаемой светом. Для различных режимов светового возбуждения построены вольтамперные характеристики (ВАХ) и показано различное поведение распределения зарядов и поля. Обнаружена нелинейная зависимость возрастания снимаемой мощности с фотопреобразователя в зависимости от скорости световой генерации носителей заряда. Определен оптимальный режим светового возбуждения.