Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках

На основе рассмотрения основных физических процессов предложены математическая модель и алгоритм расчета транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках. Модель апробирована при расчетах конкретных физических процессов, протекающих в заряженных при электронной бомбардировке тонких слоях SiO2. Получено хорошее соответствие результатов расчета экспериментальным данным и физическим представлениям, свидетельствующее об адекватности предложенной модели.