Сильно неравновесные электронные явления в субмикронных Si-MOП транзисторах

Методом математического моделирования на ЭВМ исследованы особенности сильно неравновесного электронного транспорта в субмикронных кремниевых $n$-канальных МОП транзисторах. Создана комбинированная модель таких транзисторов, использующая кинетические уравнения для описания электронов различных долин зоны проводимости кремния, уравнение непрерывности для дырок и уравнение Пуассона для самосогласованного электрического потенциала. Уравнения переноса решались методами макрочастиц, а уравнение Пуассона – маршевым методом с использованием аппарата матрицы емкости.