Асимптотический анализ решения уравнения Пуассона в полупроводниках

В статье построено и обосновано равномерное в прямоугольной области асимптотическое приближение по малому параметру к решению квазилинейного сингулярно возмущенного уравнения Пуассона – одного из уравнений дрейфово-диффузионной модели, применяемой для описания процессов переноса заряда в полупроводниках.