К вопросу о вычислении электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора с наноканалом из оксида кремния

Рассматривается проблема нахождения электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора, занимающего область $\Omega$, с присоединенным к нему наноканалом из оксида кремния (область $\Omega_G$). С помощью вычислительных экспериментов обосновывается метод сведения исходной задачи определения потенциала в области $\Omega\cup\Omega_G$ к задаче для нахождения потенциала только в области $\Omega$.