RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Математическое моделирование // Архив

Матем. моделирование, 2012, том 24, номер 12, страницы 23–28 (Mi mm3217)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Особенности самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при ионной бомбардировке

Н. А. Кудряшов, П. Н. Рябов, Т. Е. Федянин

Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ

Аннотация: Рассматривается процесс образования наноструктур на поверхности полупроводниковых подложек. Сформулирована математическая модель и проведено численное моделирование данного процесса. Проведено исследование влияния членов высокого порядка на эволюцию поверхностной морфологии и классифицированы дефекты, встречающиеся при образовании структур.

Ключевые слова: ионная бомбардировка, диссипация, самоорганизация, наноструктура, подложка.

УДК: 532.592; 517.953

Поступила в редакцию: 01.10.2012



© МИАН, 2024