Аннотация:
В рамках молекулярно-динамического подхода моделируется процесс взрывного вскипания тонкой пленки в условиях однородного субнаносекундного нагрева. Результаты расчетов показывают, что в этих условиях в развитии процесса взрывного вскипания существенную роль играет поверхностное испарение, приводящее за счет испарительного охлаждения к формированию неоднородного (выпуклого) температурного профиля в однородно нагреваемой пленке.
Полный текст:
PDF файл (458 kB)