Численное решение задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET

Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для поиска стационарных решений задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET. Для математического описания процесса переноса заряда используется гидродинамическая MEP модель. Вследствие нелинейности уравнений данной модели, наличия в ней малых параметров и специфических условий на границах области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений возникают существенные сложности. Целью настоящей работы являются построение и реализация эффективного вычислительного алгоритма, основанного на методе установления, применении сглаживающих регуляризующих операторов и идей схем без насыщения, предназначенного для преодоления указанных сложностей.