С. И. Безродных, В. И. Власов, “Аналитико-численный метод расчета взаимодействия физических полей в полупроводниковом диоде”, Матем. моделирование, 2015, том 27, номер 7,страницы 15

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Аналитико-численный метод расчета взаимодействия физических полей в полупроводниковом диоде

С. И. Безродных^ab, В. И. Власов^a

^a Вычислительный центр им. А. А. Дородницына РАН, ФИЦ «Информатика и управление» РАН
^b Государственный астрономический институт им. П. К. Штернберга МГУ

Аннотация: Предложен аналитико-численный метод решения сингулярно возмущенной нелинейной системы дифференциальных уравнений, моделирующей взаимодействие физических полей в полупроводниковом диоде. Взаимодействие электрического поля, а также полей концентраций дырок и электронов рассмотрено в диффузионно-дрейфовом приближении с рекомбинационной функцией, взятой в форме Шокли–Рида–Холла. Осуществлена реализация метода и проведены обширные численные эксперименты, подтвердившие сверхэкспоненциальную скорость сходимости метода.

Ключевые слова: моделирование полей в полупроводниковых приборах, сингулярно возмущенные системы, аналитико-численные методы, операторный метод Ньютона, метод ВКБ.

Поступила в редакцию: 30.03.2015