Аннотация:
Разработан и реализован программный пакет для моделирования пространственно-временной динамики заряда в полупроводниковой наноструктуре (сверхрешетке), находящейся
под воздействием внешнего наклонного магнитного поля. Подробно изложены аналитическая и численная модели, положенные в основу программного пакета. Описана структура прикладного программного пакета. Показано, что разработанный программный пакет
может быть успешно использован для исследования динамики полупроводниковых сверхрешеток, в том числе для улучшения характеристик генерации наноструктуры в устройствах суб-ТГц и ТГц диапазона.