RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Математическое моделирование // Архив

Матем. моделирование, 2016, том 28, номер 11, страницы 19–32 (Mi mm3784)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Модель и программный пакет для исследования и оптимизации характеристик генерации полупроводниковой сверхрешетки

В. В. Макаровab, А. О. Сельскийab, В. А. Максименкоab, А. А. Короновскийab, О. И. Москаленкоab, А. Е. Храмовab

a Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
b Саратовский государственный технический университет им. Ю.А. Гагарина

Аннотация: Разработан и реализован программный пакет для моделирования пространственно-временной динамики заряда в полупроводниковой наноструктуре (сверхрешетке), находящейся под воздействием внешнего наклонного магнитного поля. Подробно изложены аналитическая и численная модели, положенные в основу программного пакета. Описана структура прикладного программного пакета. Показано, что разработанный программный пакет может быть успешно использован для исследования динамики полупроводниковых сверхрешеток, в том числе для улучшения характеристик генерации наноструктуры в устройствах суб-ТГц и ТГц диапазона.

Ключевые слова: полупроводниковая сверхрешетка, программный пакет, численная модель.

УДК: 530.182:621.385.6

Поступила в редакцию: 09.09.2015


 Англоязычная версия: Mathematical Models and Computer Simulations, 2017, 9:3, 359–368

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024