Самоорганизованная критичность эруптивных процессов в солнечной плазме

Строится самоорганизованно критическая (СК) модель солнечных вспышек. Многообразие и сложная взаимосвязь процессов, происходящих в солнечной фотосфере, вынуждает выбрать для моделирования какой-то один, предполагая, что с ним связана основная энергия, и он является ведущим, а остальные процессы подстраиваются под него. В отличие от известных СК-моделей в качестве такого процесса было выбрано не пересоединение линий магнитного поля в атмосфере Солнца, что характерно для многих моделей, а аннигиляция противоположно заряженных магнитных элементов, располагающихся на его поверхности. Их можно рассматривать как основания магнитных трубок, выходящих из внутренних слоев на поверхность Солнца. Выделяющаяся при аннигиляции энергия должна приводить к механическому движению плазмы, способному в свою очередь инициировать аннигиляцию в соседних областях по принципу цепной реакции и т.д., что и дает в результате вспышку. Компьютерное моделирование показывает что система самоорганизуется в критическое состояние, в котором распределения энергий, площадей, длительностей и пиков излучения вспышек имеют степенной вид. Однако значения показателей распределений получаются несколько меньше реально наблюдаемых значений. Мы связываем это с тем, что солнечная вспышка, вызывающая макроскопическое движение плазмы, имеет тенденцию к вытеснению активности на свою границу (инерцию), что должно приводить к росту показателей. Чем сильнее инерция, тем круче должны получаться распределения.