RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Математическое моделирование // Архив

Матем. моделирование, 2000, том 12, номер 2, страницы 75–83 (Mi mm843)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Математические модели и вычислительный эксперимент

Исследование тепловых и термоупругих полей в полупроводниках при импульсной обработке

В. И. Мажукинa, В. В. Носовa, U. Semmlerb

a Институт математического моделирования РАН
b Chemnitz University of Technology

Аннотация: Обработка полупроводников концентрированными потоками энергии является современной альтернативой традиционным технологиям. При применении импульсного режима воздействия в мишени вследствие больших температурных градиентов возникают сильные тепловые напряжения. Температуропроводность рассматриваемых полупроводниковых материалов германия и кремния с ростом температуры значительно уменьшается, что приводит к дополнительной концентрации тепла в зоне теплового воздействия. Рассматриваемая задача включает нелинейное уравнение теплопроводности и квазистационарную задачу термоупругости на фиксированные моменты времени. Распределения температуры и тепловые напряжения рассчитаны с помощью комбинированного конечно-разностного/конечно-элементного методов. При этом конечно-разностный и конечно-элементный подходы используют различные сетки (разбиения), поэтому при стыковке методов выполняется интерполяция значений с одной сетки на другую. Расчеты показали, что при нагреве образцов вплоть до температуры плавления, максимальные термонапряжения на поверхности германия примерно на 40% превышают значения термонапряжения на поверхности кремния.

Поступила в редакцию: 08.02.1999



© МИАН, 2024