Вычисление индуктивностей многослойных сверхпроводниковых структур конечной толщины

Рассматривается проблема математического моделирования распределения тока и вычисления матрицы индуктивностей многослойных планарных микроэлектронных сверхпроводниковых структур. Приведена постановка задачи, основанная на лондоновской модели тока сверхпроводимости, предположении о малости толщины структуры по сравнению с ее линейными размерами и трехмерной структуре магнитного поля. Задача сведена к интегральным уравнениям, учитывающим конечную толщину слоев проводника. Предложен вычислительный метод, основанный на вычислительной схеме метода конечных элементов и треугольных сетках. Описана программа и приведены результаты расчетов. Математическая модель, вычислительный метод и программа обладают достаточной точностью и экономичностью и пригодны для расчетов параметров сверхпроводниковых микроэлектронных структур и SQUIDов. Программа позволяет рассчитывать существенно трехмерные структуры, для которых применение других программ невозможно или встречает серьезные проблемы.