Каталитическое действие ванадия и его оксида (V) в процессах оксидирования полупроводников A$^{\mathrm{III}}$ B$^{\mathrm{V}}$

Установлен каталитический синхронный механизм действия нанесённых на поверхность InP и GaAs наноразмерных слоев хемостимуляторов V и V$_2$O$_5$ в процессах термооксидирования этих полупроводников. Доказательством этого механизма являются резкое снижение эффективной энергии активации процессов, значительное увеличение скорости роста плёнок по сравнению с собственным оксидированием, регенерация активных частиц, содержащих V$^{+5}$ (данные РФА, ИКС, ОЭС), независимость кинетических параметров процессов оксидирования от количества нанесённого катализатора. Термооксидирование InP в присутствии наноостровков V$_2$O$_5$ на начальном этапе процесса преимущественно происходит на этих каталитически активных центрах (данные РЭМ, ОЭС).