Об излучении поверхностного источника по нормали к границе полупространства и плоскослоистой структуры

На основе строгой теории излучения элементарного источника тока, расположенного на границе плоскослоистой структуры, рассмотрено излучение произвольного распределения поверхностного тока. Получено строгое соотношение между излучаемыми по нормали полями, порожденными произвольным распределением стороннего поверхностного тока, в полупространства, окружающие плоскослоистую структуру. Показано, что отношение амплитуд электрических полей на одном и том же расстоянии от источника, излучающего в противоположных направлениях, нормально к плоскослоистой структуре, определяется простым алгебраическим выражением, включающим электромагнитные параметры сред и толщины пленок структуры. Рассмотрены частные случаи поверхностного источника излучения на границе одной однородной пленки и поверхностного источника на границе двух однородных полупространств.