Фотодинамика переноса возбуждения носителями заряда в гибридной наносистеме InP/InAsP/InP

Приведены результаты обработки кинетики затухания люминесценции гибридной полупроводниковой наноструктуры InP/InAsP/InP с нанесенными коллоидными слоями квантовых точек (QD) CdSe/ZnS при возбуждении на длинах волн 532 и 633 nm и температурах 80 и 300 K. Такая наноструктура характеризуется значительным увеличением длительности и интенсивности люминесценции нановставки InAsP. Механизм увеличения длительности люминесценции предположительно связан с взаимодействием коллоида QD CdSe/ZnS-ТОРО с поверхностью InP, что ведет к образованию в запрещенной зоне новых гибридных состояний, энергетически близких к излучающему состоянию и способных захватывать электроны, что в свою очередь компенсируется возрастающей ролью процесса обратного переноса электрона, приводящего к росту длительности излучательной рекомбинации.