Совместный анализ спектров катодолюминесценции и электролюминесценции слоев Si–SiO$_{2}$ на кремнии

Показана возможность получения дополнительной информации о свойствах центров люминесценции при совместном анализе спектров электролюминесценции и катодолюминесценции структур Si–SiO$_{2}$ в спектральном диапазоне 250–800 nm. Показано, что концентрация центров люминесценции, ответственных за полосу 2.2 eV, не зависит от конечной толщины окисного слоя при равномерном распределении центров по толщине SiO$_{2}$. Установлено, что ответственные за полосу 4.2 eV центры люминесценции характеризуются неоднородным распределением с преимущественным формированием во внешней части окисного слоя ($\sim$30 nm) в количестве, пропорциональном корню квадратному от времени термического окисления, что позволяет связать их образование с процессом диффузии компонентов окислителя.