Излучение в дальней зоне элементарного излучателя, расположенного на границе плоскослоистой структуры

Рассмотрена строгая теория нахождения излучения в дальней зоне элементарного диполя, расположенного на границе или внутри плоскослоистой структуры. Подробно рассмотрен частный случай излучения элементарного диполя, расположенного на свободной границе одной пленки, предложен эффективный метод нахождения поля излучения в дальней зоне в окружающих полупространствах. Получены диаграммы направленности точечных излучателей (молекул, наноструктур), расположенных на свободной поверхности металлической пленки в схеме Кречмана и имеющих индуцированный дипольный момент, направленный параллельно или перпендикулярно поверхности пленки.