Прямое диссоциативное возбуждение гетероядерных и гомоядерных ионов инертных газов электронным ударом

Дано теоретическое описание процесса диссоциативного возбуждения молекулярного иона электронным ударом в условиях эффективного заселения огромного числа его колебательно-вращательных уровней. Рассмотрение базируется на квантовой версии теории неадиабатических переходов между электронными термами молекулярного иона и на замене суммирования по $vJ$-уровням на интегрирование по $v$ и $J$. Получены полуаналитические формулы для интегрального вклада всего колебательно-вращательного квазиконтинуума в сечения, $\sigma_{T}^{\operatorname{de}}(\varepsilon)$, и константы скорости, $\alpha^{\operatorname{de}}(T,T_{e})$, изучаемого процесса в плазме с температурами $T_{e}$ и $T$ ее электронной и ионной компонент. Разработанная теория использована для исследования процессов диссоциативного возбуждения гетероядерных (HeXe$^{+}$ и ArXe$^{+}$) и гомоядерных (Ar$_{2}^{+}$ и Xe$_{2}^{+}$) ионов инертных газов. Установлена сильная зависимость результатов от энергии диссоциации иона и большие отличия в поведении и характерных величинах $\sigma_{T}^{\operatorname{de}}(\varepsilon)$ и $\alpha^{\operatorname{de}}(T,T_{e})$ для указанных систем в различных диапазонах энергий, $\varepsilon$, и температур $T_{e}$ и $T$. Определены области доминирования вкладов двух конкурирующих каналов: прямого диссоциативного возбуждения и диссоциативной рекомбинации в полные сечения и скорости разрушения молекулярных ионов инертных газов электронным ударом. В результате анализа поведения дифференциальных констант скоростей диссоциативного возбуждения в единичный интервал энергии электрона в конечном канале реакции продемонстрированы качественные различия в динамике этого процесса в случаях слабосвязанных и умеренносвязанных молекулярных ионов.