Элементарный излучатель, расположенный на границе или внутри слоистой структуры

Рассмотрена строгая теория излучения элементарного диполя, расположенного на границе или внутри плоскослоистой структуры. Для конкретного случая излучения диполя, расположенного на свободной границе одной пленки, продемонстрирован метод аналитического упрощения решения. Этот метод позволил привести формулы для излучаемых полей к одномерным интегралам, что существенно упростило анализ задачи и ускорило численные расчеты. В качестве конкретного технического приложения теории были получены диаграммы направленности точечных излучателей (молекул, наноструктур), расположенных на свободной поверхности металлической пленки в схеме Кречмана и имеющих индуцированный дипольный момент вдоль поверхности пленки. Определено влияние поверхностной волны на направленные свойства излучателей.