RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Оптика и спектроскопия // Архив

Оптика и спектроскопия, 2020, том 128, выпуск 8, страница 1194 (Mi os347)

Нанофотоника

The influence of the Schottky barrier at the metal/PbS NCs junction on the charge transport properties

D. A. Onishchuk, P. S. Parfenov, A. Dubavik, A. P. Litvin

Center of Information Optical Technologies, ITMO University, St. Petersburg, Russia

Аннотация: The effect of the Schottky barrier height changes on the metal/EDT-treated (1,2-ethanedithiol) PbS nanocrystals film interface is considered. Also, the influence of shunts on the J–V characteristic and the Schottky barrier height is demonstrated, as well, the effect of silver oxide layer on the charge accumulation and tunneling. It is shown that the gold electrodes provide more stable results even when the Schottky barrier is formed, while the silver electrode provides more current.

Ключевые слова: semiconductor nanocrystals, Schottky barrier, charge carriers transport, thin films.

Поступила в редакцию: 18.01.2020
Исправленный вариант: 18.01.2020
Принята в печать: 20.04.2020

Язык публикации: английский


 Англоязычная версия: Optics and Spectroscopy, 2020, 128:8, 1241–1243

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024