Влияние дефектов на поглощение терагерцового излучения в монокристалле CdSiP$_{2}$

Выполненные в интервале температур от 80 до 300 K методами терагерцовой (ТГц) импульсной и инфракрасной фурье-спектроскопии измерения спектров пропускания и отражения монокристалла CdSiP$_{2}$ выявили существенное влияние постростовых дефектов на поглощение в ТГц области частот. Обнаружено, что это поглощение слабо зависит от температуры в отличие от ранее полученных результатов для другого кристалла семейства халькопирита с существенно меньшей концентрацией дефектов. При охлаждении были минимизированы собственные механизмы поглощения и выделен вклад дефектов в поглощение.