Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$

Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Si. При мощности оптической накачки 19 mW и напряжении смещения 30 V фотопроводящая антенна на оптимизированной структуре $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ (111)А испускала ТГц импульсы со средней мощностью 2.3 $\mu$W при частоте следования импульсов 80 MHz, эффективность преобразования составила 1.2 $\cdot$ 10$^{-4}$. Показано, что зависимость интегральной мощности ТГц импульсов антенны на основе $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ (111)А структуры от приложенного напряжения является суперлинейной, а от мощности оптической накачки имеет вид кривой насыщения. Показана возможность практического применения полученных антенн для задач терагерцовой спектроскопии биологических растворов.