Нелинейное оптическое поглощение в GaSe при лазерном возбуждении

Экспериментально исследовано нелинейное поглощение в кристаллах GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения. В качестве источников излучения были использованы Nd:YAG-лазер (1-я и 2-я гармоники: 1064 и 532 nm) и жидкостной лазер (область перестройки длины волны излучения 594–643 nm). Показано, что наблюдаемые особенности в спектрах поглощения, люминесценции и фотопроводимости в области экситонного резонанса в кристаллах GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения могут быть объяснены взаимодействия экситонов и экранированием кулоновского взаимодействие свободными носителями.