Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов

Исследована фотодинамика люминесценции массива нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке Si(III). На основе сопоставления нескольких кинетических моделей проведён анализ экспериментальных данных, полученных при возбуждении лазерным излучением 633 nm при комнатной температуре. Показано, что кинетика затухания люминесценции нановставки InAsP лучше всего описывается в рамках модели контактного тушения. Оценена полная длительность распада возбужденного состояния (радиационное время жизни) нановставки InAsP $\tau\sim$ 40 ns. Высказаны предположения о причинах необычно большой длительности переноса возбуждения от InP.