Оптика и спектроскопия,
2019 , том 127, выпуск 6, страницы 963–966
(Mi os524)
Эта публикация цитируется в
14 статьях
Лазерная физика и лазерная оптика Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs Л. Я. Карачинский a ,
И. И. Новиков b ,
А. В. Бабичев b ,
А. Г. Гладышев b ,
Е. С. Колодезный b ,
С. С. Рочас b ,
А. С. Курочкин b ,
Ю. К. Бобрецова c ,
А. А. Климов c ,
Д. В. Денисов d ,
К. О. Воропаев ef ,
А. С. Ионов f ,
В. Е. Бугров b ,
А. Ю. Егоров b a ООО "Коннектор Оптикс", 194292 Санкт-Петербург, Россия b Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
194021 Санкт-Петербург, Россия d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия e Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия f АО "ОКБ-Планета", г. Великий Новгород, 173000 Великий Новгород, Россия Аннотация:
Предложена и реализована конструкция активной области на основе сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs для лазерных диодов спектрального диапазона 1535–1565 nm. Показано, что использование сверхрешетки позволяет увеличить модальное усиление при равных значениях плотности тока накачки в сравнении с типичной конструкцией активной области на основе набора квантовых ям InGaAs.
Ключевые слова:
молекулярно-пучковая эпитаксия, вертикально-излучающий лазер, гетероструктура, активная область, квантовая яма, сверхрешетка. Поступила в редакцию: 21.03.2019
Исправленный вариант: 19.08.2019
Принята в печать: 20.08.2019
DOI:
10.21883/OS.2019.12.48693.124-19
© , 2024
Список цитирования
