Фоторазрушение субмикронных кристаллов DAST в пленке PMMA путем прямой лазерной записи

Исследованы процессы избирательного фотовыцветания нелинейных нанокристаллов DAST (trans-4'-(dimethylamino)-Nmethyl-4-stilbazolium tosylate) в пленке из полиметилметакрилата толщиной 2 $\mu$m с помощью прямой лазерной записи на длине волны 532 nm при мощности 1–10 mW и скорости записи 5–35 $\mu$m/s. Выявлена зависимость вида записанной картины от параметров записи. В результате разрушения кристаллов и перехода их в аморфную форму записана структура, которая хорошо различима в оптический микроскоп и при сканировании сигнала люминесценции. Нарушение поверхности слоя в местах разрушения кристаллов не выявлено. Метод позволит формировать решетки с периодической модуляцией нелинейно-оптического коэффициента, что важно для преобразования в режиме квазифазового синхронизма.