Спектральная сенсибилизация фото-ЭДС в монокристаллическом кремнии

Исследовано влияние нанесенного на поверхность полупроводника органического красителя на спектр фото-ЭДС в монокристаллическом кремнии. Обнаружена сенсибилизация внутреннего фотоэффекта в полупроводнике в полосе поглощения красителя. Определена оптимальная концентрация красителя на поверхности полупроводника, которая соответствует толщине пленки красителя 10–15 nm. Обсужден механизм сенсибилизации на основе теории безызлучательного индуктивно-резонансного переноса энергии от красителя полупроводнику.