Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaS и гетероструктуры GaS/InSe

Экспериментально получены тонкие пленки GaS методом SILAR, проанализирована их структура и исследованы оптические и фотоэлектрические свойства. При помощи дифракционного анализа рентгеновских лучей (XRD), атомного силового микроскопа (AFM), спектроскопии дисперсной энергии рентгеновских лучей (EDAX) и сканирующего электронного микроскопа (SEM) исследованы внутреннее строение и структура полученных образцов. Из спектра поглощения определена ширина запрещенной зоны GaS. На основе кристаллов GaS и тонких пленок InSe созданы гетеропереходы $p$-GaS/$n$-InSe. Экспериментально исследованы вольт-амперные, оптические, фотоэлектрические и люминесцентные характеристики гетеропереходов $p$-GaS/$n$-InSe.