Аннотация:
Проведены исследования структуры и оптических характеристик тонких пленок сегнетоэлектрика-релаксора Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$, выращенных методом высокочастотного RF-напыления в атмосфере кислорода на подложке Al$_{2}$O$_{3}$ ($c$-срез). Рентгеноструктурные исследования показали, что пленки Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$ являются $c$-ориентированными, параметр $c$ элементарной ячейки составил 3.948(1) $\mathring{\mathrm{A}}$. Эллипсометрическими измерениями подтверждено, что пленки SBN-50 характеризуются естественным направлением роста, которое совпадает с направлением оптической оси кристалла. Анализ результатов эллипсометрических измерений показал отсутствие переходного слоя на границе пленка-подложка; толщина нарушенного слоя на свободной поверхности пленки 7.5 nm, коэффициент объемного заполнения оценивается как 0.625.
Поступила в редакцию: 15.06.2018 Исправленный вариант: 26.10.2018 Принята в печать: 04.12.2018