А. Н. Косарев, В. В. Чалдышев, А. А. Кондиков, Т. А. Вартанян, Н. А. Торопов, И. А. Гладских, П. В. Гладских, И. Акимов, M. Bayer, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, “Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц”, Оптика и спектроскопия, 2019, том 126, выпуск 5,страницы 573

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Оптика низкоразмерных структур, мезоструктур и метаматериалов

Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц

А. Н. Косарев^abc, В. В. Чалдышев^acd, А. А. Кондиков^ad, Т. А. Вартанян^d, Н. А. Торопов^d, И. А. Гладских^d, П. В. Гладских^d, И. Акимов^ab, M. Bayer^ab, В. В. Преображенский^e, М. А. Путято^e, Б. Р. Семягин^e

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Experimentelle Physik II, Universität Dortmund, Dortmund, Germany
^c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^e Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены квантовые точки арсенида индия-галлия, захороненные в тонком слое арсенида алюминия-галлия. Изучено влияние серебряных наночастиц, выращенных на поверхности полупроводниковой структуры методом термического испарения в вакууме, на фотолюминесценцию квантовых точек. Получены спектры фотолюминесценции при стационарном и импульсном возбуждении квантовых точек. Исследовано влияние серебряных наночастиц, обладающих плазмонными резонансами на спектральное распределение и кинетику люминесценции эпитаксиальных квантовых точек.

Поступила в редакцию: 27.12.2018
Исправленный вариант: 27.12.2018
Принята в печать: 09.01.2019

DOI: 10.21883/OS.2019.05.47655.382-18