RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Оптика и спектроскопия // Архив

Оптика и спектроскопия, 2019, том 126, выпуск 5, страницы 663–669 (Mi os724)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

The 22nd Annual Conference Saratov Fall Meeting 2018 (SFM'18): VI International Symposium ''Optics and Biophotonics'' and XXII International School for Junior Scientists and Students on Optics, Laser Physics & Biophotonics
Биофотоника

Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации

Д. В. Лаврухинab, Р. Р. Галиевa, А. Ю. Павловab, А. Э. Ячменевab, М. В. Майтамаab, И. А. Глинскийab, Р. А. Хабибуллинab, Ю. Г. Гончаровb, К. И. Зайцевbc, Д. С. Пономаревba

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
c Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана

Аннотация: Предложена терагерцовая (THz) плазмонная фотопроводящая антенна (ФПА) с рекордной высотой металлического электрода $h$ = 100 nm и аспектным соотношением $h/p$ = 0.5 ($p$ – период плазмонной решетки) для использования в качестве источника в системах THz импульсной спектроскопии и визуализации. Экспериментально продемонстрировано, что мощность генерируемого THz излучения в плазмонной ФПА на 2 порядка выше, чем в эквивалентной ФПА без плазмонной решетки. Измерения вольт-амперных характеристик плазмонной ФПА при воздействии фемтосекундного лазерного излучения показали увеличение фототока антенны в 15 раз до $i_{p}\approx$ 1.2 mA. Для уменьшения токов утечки ФПА предложена технология формирования электродов путем вытравливания окон в тонком слое пассивирующего диэлектрика Si$_{3}$N$_{4}$, нанесенного на поверхность фотопроводника, позволяющая уменьшить темновой ток до $i_{d}\approx$ $\mu$A.

Поступила в редакцию: 13.11.2018
Исправленный вариант: 29.01.2019
Принята в печать: 31.01.2019

DOI: 10.21883/OS.2019.05.47668.17-19


 Англоязычная версия: Optics and Spectroscopy, 2019, 126:5, 580–586

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024