Поляризационные измерения комбинационного рассеяния света в слоях кремния на сапфире

Проведены измерения интенсивности поляризованных компонент комбинационного рассеяния света для различных кристаллографических направлений в эпитаксиальных слоях кремния на сапфире. Эксперимент показывает, что рассеянное излучение имеет значительную деполяризованную составляющую, которая напрямую связана с дефектностью эпитаксиального слоя. Для описания дефектного кристаллического слоя кремния на сапфире предложена модель ансамбля кристаллитов. Показано, что по отношению интенсивностей поляризованной и деполяризованной компонент можно определить характерную величину разупорядочения кристаллических доменов в эпитаксиальном слое. По измерениям интенсивности комбинационного рассеяния света в зависимости от кристаллографического направления определена анизотропия тензора комбинационного рассеяния света. Получены численные значения для двух образцов.