В. В. Малютина-Бронская, А. М. Поликанин, В. Б. Залесский, А. В. Семченко, В. В. Сидский, В. Е. Гайшун, “Получение гетероструктур SiO$_2$/ZnO/Si золь-гель методом”, ПФМТ, 2011, выпуск 3(8),страницы 24

ФИЗИКА

Получение гетероструктур SiO$_2$/ZnO/Si золь-гель методом

В. В. Малютина-Бронская^a, А. М. Поликанин^a, В. Б. Залесский^a, А. В. Семченко^b, В. В. Сидский^b, В. Е. Гайшун^b

^a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск
^b Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины, Гомель

Аннотация: В работе рассматривается анализ вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик структур SiO$_2$/ZnO/Si, полученных золь-гель методом с использованием различных исходных веществ, таких как нитрат цинка, хлорид цинка и ацетат цинка. Рассчитана плотность дефектов на границе раздела ZnO/Si с использованием Мотт–Шоттки зависимостей С$_2$(U). Определен основной механизм проводимости – токи, ограниченные пространственным зарядом. Показано, что пленки, полученные с использованием ацетата цинка, обладают фоточувствительностью.

Ключевые слова: золь-гель, ZnO,вольт-фарадные характеристики, вольт-амперные характеристики.

УДК: 538.915; 681.7.064

Поступила в редакцию: 02.09.2011