Особенности формирования термоупругих полей при лазерной обработке кристаллов алмаза

Выполнен расчет термоупругих полей, формируемых в кристаллах алмаза при воздействии лазерного излучения вдоль осей симметрии второго ($L_2$), третьего ($L_3$) и четвертого ($L_4$) порядка. Полученные результаты могут быть использованы для оптимизации процесса лазерной обработки кристаллов алмаза.