RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Проблемы физики, математики и техники // Архив

ПФМТ, 2018, выпуск 1(34), страницы 33–37 (Mi pfmt549)

ФИЗИКА

Сегнетоэлектрические свойства пленок танталата стронция-висмута, нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления

Д. Э. Окоджиa, Д. А. Голосовa, С. Н. Мельниковa, С. М. Завадскийa, В. В. Колосb, Е. А. Поплевкаa, Ю. А. Жуковичb

a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
b ОАО «Интеграл», Минск

Аннотация: Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT), нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления на Pt/TiO$_x$/SiO$_2$/Si подложки. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, остаточной поляризации и коэрцитивной силы пленок SBT от режимов последующего отжига. При температуре отжига $800^\circ$ C получены пленки с остаточной поляризацией $2P_r = 3,02$ мкКл/см$^2$, коэрцитивной силой $2E_c = 140$ кВ/см. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь на частоте $1,0$ МГц составляли соответственно $\varepsilon = 125$ и $\mathrm{tg}\,\beta = 0,067$. Температура Кюри пленок достигала $310$$315^\circ$ С.

Ключевые слова: энергонезависимая память, FeRAM, сегнетоэлектрики, танталат стронция-висмута, SBT, ВЧ магнетронное распыление.

УДК: 621.3.049.77: 621.793

Поступила в редакцию: 01.02.2018



© МИАН, 2024