Исследование приповерхностного нарушенного слоя в пластинах монокристаллического кремния после химико-механической полировки

В процессе химико-механической полировки (ХМП) пластин монокристаллического кремния применяют суспензии на основе наноразмерного диоксида кремния. Качество поверхности полупроводниковых подложек характеризуется шероховатостью и глубиной структурно нарушенного слоя. Методом комбинационного рассеяния света исследуется нарушенный слой и влияние шероховатости поверхности на интенсивность спектральных линий. Показано, что интенсивность основной рамановской моды кремния сильно зависит от шероховатости поверхности.