RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Проблемы физики, математики и техники // Архив

ПФМТ, 2020, выпуск 4(45), страницы 7–14 (Mi pfmt736)

Эта публикация цитируется в 1 статье

ФИЗИКА

Диэлектрические золь-гель покрытия на основе диоксида кремния для планаризации поверхности интегральных микросхем

В. В. Васькевичa, В. Е. Гайшунa, Д. Л. Коваленкоa, Сунгвок Минb, М. И. Москвичёвa, А. Н. Петлицкийc, Д. В. Жигулинc

a Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины
b Университет Кёнги, Сеул
c «Белмикроанализ» филиала НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «ИНТЕГРАЛ», Минск

Аннотация: Исследованы условия формирования золь-гель покрытий для планаризации поверхности в зависимости от состава пленкообразующего раствора. Определены оптимальные режимы нанесения пленкообразующего раствора методом центрифугирования. Экспериментальным путем подобраны режимы термообработки полученных покрытий, и установлено влияние термообработки на толщину и сплошность формируемых покрытий. Проведены исследования шероховатости и планаризации поверхности алюминиевой металлизации интегральной схемы, с помощью получаемых золь-гель покрытий, методами профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. Для анализа однородности структуры слоев золь-гель покрытий проведены исследования планарности и толщины с использованием растрового электронного микроскопа.

Ключевые слова: пленкообразующий раствор, золь-гель, термообработка, толщина покрытия, профилограмма, планаризация.

УДК: 546.8, 661.682

Поступила в редакцию: 18.10.2020



© МИАН, 2024