Прогнозирование свойств полупроводниковых золь-гель слоев Zn$_x$Mg$_y$O с помощью искусственных нейронных сетей

С использованием искусственных нейронных сетей выполнено прогнозирование свойств полупроводниковых золь-гель пленок состава Zn$_x$Mg$_y$O. Для формирования обучающего массива данных и массива данных для тестирования нейронных сетей золь-гель методом были сформированы пленки ZnO : Mg. Измерение фотоэлектрических характеристик золь-гель покрытий было выполнено на автоматизированном базовом лазерном испытательном комплексе в соответствии с ГОСТ-17772-88. Эксперименты были выполнены для 150 вариантов входных параметров, 135 из которых были использованы для обучения нейронных сетей. В работе выполнено исследование влияния архитектуры нейронных сетей на точность прогнозирования свойств полупроводниковых золь-гель пленок Zn$_x$Mg$_y$O.