Физика и техника полупроводников,
1985, том 19, выпуск 4,страницы 674–677(Mi phts1163)
Радиационно-стимулированная диффузия атомов в контакте
металл–полупроводник
И. К. Синищук, Г. Е. Чайка, Ф. С. Шишияну
Аннотация:
Рассмотрены некоторые теоретические предпосылки
управления свойствами системы металл–полупроводник путем одновременного
действия облучения и напряжения. В основу рассмотрения положен механизм,
в котором существенную роль в процессе радиационно-стимулированной диффузии
играет наличие электрического поля. Этот эффект использован для формирования
свойств и управления качеством контакта металл–полупроводник при
одновременном воздействии ионизирующей радиации и приложенного напряжения.