RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 674–677 (Mi phts1163)

Радиационно-стимулированная диффузия атомов в контакте металл–полупроводник

И. К. Синищук, Г. Е. Чайка, Ф. С. Шишияну


Аннотация: Рассмотрены некоторые теоретические предпосылки управления свойствами системы металл–полупроводник путем одновременного действия облучения и напряжения. В основу рассмотрения положен механизм, в котором существенную роль в процессе радиационно-стимулированной диффузии играет наличие электрического поля. Этот эффект использован для формирования свойств и управления качеством контакта металл–полупроводник при одновременном воздействии ионизирующей радиации и приложенного напряжения.



© МИАН, 2024